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产品分类
YK8R512K40/1M40 20M/40Mb 抗辐射 SRAM
发布时间： 2020/5/12 16:15:33 | 417 次阅读
产品概述
YK8R512K40/1M40 是高可靠、 高速、 异步、 低功耗、 抗辐射静态随机存储芯 片，采用 0.13um CMOS 工艺，容量达到 20Mb(512K*40bit)/40Mb(1M*40bit)。YK8R512K40/1M40 作为通用数据存储芯片，可广泛应用于航天计算机控制与数据处理等系统中。
主要特点
22ns 读取时间
10ns 写入时间
3.3V 单电源电压供电
异步操作，无时钟刷新
兼容 CMOS 电平输入输出， 三态双向数据总线
512K/1M*40bit 容量
高可靠、低功耗、抗辐射
自主可控
性能指标
|
工作电压 |
3.3V（内置LDO, 内核 1.2V） |
|
工作电流 |
小于 60mA@40MHz |
|
待机电流 |
小于 8mA |
|
访问时间 |
22ns |
|
容量 |
512K/1M ╳ 40bit |
|
ESD 等级 |
大于 2000V |
|
TID( 总剂量 ) |
大于 100Krad(Si) |
|
SEU( 单粒子翻转 ) |
错误率小于 7.3E-7 次 / 位 / 天 ( 在 90% 坏 GEO 轨道下 ) |
|
SEL( 单粒子锁定 ) |
大于 75MeV.cm2/mg |
飞行经历
|
YK8R1M40 |
|||
|
型号 |
应用指标 |
飞行经历及计划 |
应用范围 |
|
YK8R1M40 |
40Mb |
2019 年 |
宇航嵌入式电子系统 |
应用情况
应用于导航、通信、遥感、小卫星等计算机模块产品。
产品特性
|
流片工艺 |
0.13um |
|
尺寸 (mm) |
29 ╳ 29 ╳ 3 |
|
工作温度 |
-55~125°C |
|
储存温度 |
-65~150°C |
|
封装 |
CQFP132 |
|
质量等级 |
CAST C |
|
尺寸符号 Size symbol |
（mm） Min.(mm) |
公称（mm） Nominal Value(mm) |
（mm） Max.(mm) |
|
A |
0.585 |
0.635 |
0.685 |
|
B |
0.15 |
0.20 |
0.25 |
|
C |
42.75 |
43.15 |
43.55 |
|
D |
63.00 |
63.50 |
64.00 |
|
E |
— |
0.8 |
— |
|
F |
— |
0.35 |
— |
|
G |
4.82 |
5.00 |
5.18 |
|
H |
0.10 |
0.15 |
0.20 |
|
I |
— |
— |
3.0 |
|
J |
28.50 |
28.70 |
28.90 |